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    基于Kronig-Penney能带模型的MATLAB求解与仿真

    放大字体  缩小字体 发布日期:2024-10-21 04:00:10   浏览次数:1  发布人:ca1a****  IP:124.223.189***  评论:0
    导读

    1.程序功能描述      基于Kronig-Penney能带模型的MATLAB求解与仿真.综合利用 MATLAB提供的求解常微分方程、矩阵行列式、代数表达式化简及绘图等函数 ,可使 Kronig-Penney能带模型分析计算的工作量大为减少。2.测试软件版本以及运行结果展示MATLAB2013b版本运行3.核心程序%DDDDstartpoint =  10.3040;endpoint  =

    1.程序功能描述

          基于Kronig-Penney能带模型的MATLAB求解与仿真.综合利用 MATLAB提供的求解常微分方程、矩阵行列式、代数表达式化简及绘图等函数 ,可使 Kronig-Penney能带模型分析计算的工作量大为减少。

    2.测试软件版本以及运行结果展示

    MATLAB2013b版本运行
































    3.核心程序

    %DDDD

    startpoint =  10.3040;

    endpoint  =  13.2755;

    N          =  10000;

    k          =  -4*pi:(2*pi)/20:-3*pi;

    for i = 1:length(k)

    alpha2(i) = solvealpha(startpoint,endpoint,N,k(i));

    alpha2(i) = alpha2(i)*alpha2(i);

    end

    plot(k,alpha2,'k','LineWidth',4);hold on;

    plot(k+4*pi,alpha2,'k','LineWidth',1);hold on;

    k          =  3*pi:(2*pi)/20:4*pi;

    for i = 1:length(k)

    alpha2(i) = solvealpha(startpoint,endpoint,N,k(i));

    alpha2(i) = alpha2(i)*alpha2(i);

    end

    plot(k,alpha2,'k','LineWidth',4);hold on;

    plot(k-4*pi,alpha2,'k','LineWidth',1);hold on;

    clear k

    clear alpha2

    %画虚线

    plot(-4*pi,0:2:200,'r');hold on;

    plot(-3*pi,0:2:200,'r');hold on;

    plot(-2*pi,0:2:200,'r');hold on;

    plot(-pi,  0:2:200,'r');hold on;

    plot(0,  0:0.1:200,'r');hold on;

    plot(pi,  0:2:200,'r');hold on;

    plot(2*pi,0:2:200,'r');hold on;

    plot(3*pi,0:2:200,'r');hold on;

    plot(4*pi,0:2:200,'r');hold on;

    saveas(gcf,'6.jpg');

    16_007m

    4.本算法原理

          基于Kronig-Penney能带模型的MATLAB求解与仿真.综合利用 MATLAB提供的求解常微分方程、矩阵行列式、代数表达式化简及绘图等函数 ,可使 Kronig-Penney能带模型分析计算的工作量大为减少。

            Kronig-Penney模型是一种一维周期势垒模型,用于描述晶体中电子在周期性势场中的运动特性,从而推导出晶体的能带结构。该模型由 Ralph Kronig 和 Hans Bethe 在1930年代提出,主要用来简化对固体晶格中原子间复杂相互作用的研究。在一个理想的无限大一维晶格中,原子排列形成周期性的势场。Kronig-Penney模型假设每个原子或离子贡献一个简化的无限深势阱(代表原子间的共价键)和一个有限高的势垒(表示原子间的排斥力)。模型将晶格简化为一系列等间距、具有相同宽度 a 的无限深势阱与有限高势垒相间隔的结构。






          Kronig-Penney模型虽然简单,但它揭示了固体中电子能带结构的一些基本特征。通过这个模型,我们可以理解带隙的形成机制以及能带宽度与势场参数的关系。这些理解对于半导体物理和固体电子学的发展具有重要意义。

     
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